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成都超迈光电科技有限公司

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产品详情

产品描述

该设备吸收德国某公司的技术开发，采用中频感应加热方式，在真空条件下通过物理气相透射法生长出高质量的光学晶体，可生长碳化硅等第三代半导体材料，可根据客户的实际需求进行定制。

本系统采用单室立式双层水冷不锈钢结构。它由加热炉、真空采集系统、真空测量系统、籽晶杆牵引和旋转机构、坩埚杆牵引和进料系统、感应加热系统、电气控制系统等组成，其技术指标如下:

炉体

主炉

尺寸 Φ610 × 850毫米

牵引机构

速度

0至30rpm

升降速度连续可调范围

0.06 ~ 6㎜/h

快速提升速度连续提升可调

≥ 40㎜/min

有效旅行

410㎜

真空

主泵

分子泵

前泵

油封泵 (可选干泵)

阀

SUS304波纹管轴封高位阀

极限真空

6.6 × 10-5Pa

系统泄漏率

真空度 ≤ 10Pa

坩埚传动机构

速度

0 ~ 30转/分变频可调

上升范围

0.03 ~ 6㎜/h可调

快速提升速度连续提升可调

≥ 40㎜/min

有效旅行

560㎜

额定总功率

根据客户需求确定中频电源，推荐使用50KW

占地面积

主机控制柜中频电源

2200 × 2500平方毫米

特别说明: 对于购买国外一流的晶体生长设备，熟练掌握生长技术的研发人员，我公司愿与他们共同开发制造，并根据生长技术定制生产设备。

物理气相沉积炉

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该设备吸收德国某公司的技术开发，采用中频感应加热方式，在真空条件下通过物理气相透射法生长出高质量的光学晶体，可生长碳化硅等第三代半导体材料，可根据客户的实际需求进行定制。
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