先进封装制程
1. TSV、TGV 通孔镀膜
o 膜层：Ta/TaN 阻挡层、Cu 种子层
o 设备：PVD 溅射
o 作用：3D 堆叠互连
2. WLP 晶圆级封装
o 再布线层（RDL）：Cu、TiW、NiV
o 设备：溅射、电镀配合
o 作用：高密度、小型化封装
o 膜层：Ta/TaN 阻挡层、Cu 种子层
o 设备：PVD 溅射
o 作用：3D 堆叠互连
2. WLP 晶圆级封装
o 再布线层（RDL）：Cu、TiW、NiV
o 设备：溅射、电镀配合
o 作用：高密度、小型化封装
- 2026-04-27
- 2025-12-05
- 2025-11-10
